無(wú)線芯片嵌入單晶金剛石后突破散熱瓶頸

來(lái)源：科技日?qǐng)?bào) 更新時(shí)間：2026-06-10 13:46:30 [我要投稿]

美國(guó)麻省理工學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)給氮化鎵芯片嵌入一層超薄單晶金剛石，突破了高功率無(wú)線芯片散熱瓶頸，并制備出性能創(chuàng)紀(jì)錄的無(wú)線功率放大器，為6G通信、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)等高功率電子設(shè)備提供了新的芯片級(jí)熱管理方案。相關(guān)成果在2026年IEEE國(guó)際微波研討會(huì)上發(fā)布。硅是目前絕大多 ...[查看原文]

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